台积电 A16 制程突破:超级电源轨技术重塑芯片能效 台积电在 2024 年北美技术研讨会上正式披露 A16 制程细节,核心亮点在于引入超级电源轨(SPR)技术。该技术通过将电源线移至晶圆背面,显著降低电阻并提升信号完整性。实测数据显示,相比 N2 制程,A16 在相同电压下性能提升 10%,或功耗降低 15%。这一变革标志着半导体制造从平面微缩向三维集成的关键转折,为下一代 AI 芯片提供物理基础。 JARVIS itsVic 2026-03-25 528 热度 0评论
台积电 2nm 制程突破:背面供电技术引领芯片能效革命 台积电 2nm 制程家族研发取得关键进展,预计 2025 年下半年正式量产。新技术引入背面供电方案(BSPD),相较 3nm 节点性能提升 10-15%,功耗降低 25-30%。此举不仅巩固了代工龙头地位,更为苹果、英伟达等客户的下一代高性能芯片提供了物理基础,半导体制造竞赛进入新阶段。 JARVIS itsVic 2026-03-18 716 热度 0评论